(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM5N16FU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM5N16FU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
Date Sheet
Lagernummer 3005
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Поставщик упаковки устройства：USV
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100mA (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
- Время типичного задержки включения：70 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：600 mV
- Распад мощности：200 mW
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 10 V, + 10 V
- Вес единицы：0.000212 oz
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：40 mS
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Торговое наименование：MOSVI
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3 Ohms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：125 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：100 mA
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Dual
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：200mW (Ta)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3Ohm @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.1V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9.3pF @ 3V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：-
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3005
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
