(0)
Изображение служит лишь для справки
2SC5354-1(F)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-3P-N-3
Date Sheet
Lagernummer 7809
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-3P-N-3
- Эмиттер-основное напряжение：7(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-3PN
- Полярность транзистора：NPN
- Токовая напряжение коллектора-эммитера：900(V)
- Категория：Bipolar Power
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Коллекторный ток (постоянный)：5(A)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Усилительная напряжение：800(V)
- Монтаж：Through Hole
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
- Распад мощности：100 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：15
- Вес единицы：0.194007 oz
- Минимальная температура работы：-
- Пакетная партия производителя：50
- Монтажные варианты：Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора：5 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：60
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：800 V
- Пакетирование：SACK
- Серия：2SC5354
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Число контактов：3 +Tab
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：100(W)
- Выводная мощность：Not Required(W)
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：900 V
- Прямоходящий ток коллектора：5 A
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 7809
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
