(0)
Изображение служит лишь для справки
GS8161E18DD-333IV
-
GSI Technology
-
Память
- BGA-165
- Cache SRAM, 1MX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165
Date Sheet
Lagernummer 16
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：BGA-165
- Максимальная частота такта：200@Flow-Through/333@Pipelined MHz
- Поставщикская упаковка：FBGA
- Архитектура Скорости Данных：SDR
- Типовая рабочая напряжение питания：1.8, 2.5 V
- Минимальное напряжение питания в работе：1.7, 2.3 V
- Тип таймера：Synchronous
- Количество слов：1 MWords
- Количество линий ввода/вывода：18 Bit
- Максимальное напряжение питания：2, 2.7 V
- Монтаж：Surface Mount
- Чувствительный к влажности：Yes
- Максимальная частота такта：333 MHz
- Максимальная рабочая температура：+ 85 C
- Максимальная напряжение питания：2.7 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：18
- Минимальная напряжение питания：1.7 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Интерфейс тип：Parallel
- Производитель：GSI Technology
- Бренд：GSI Technology
- Торговое наименование：SyncBurst
- Типы памяти：SDR
- Уровень применения：Industrial grade
- Рабочая температура：-40 to 85 °C
- Серия：GS8161E18DD
- Пакетирование：Tray
- Тип：DCD Pipeline/Flow Through
- Подкатегория：Memory & Data Storage
- Число контактов：165
- Размер памяти：18 Mbit
- Количество портов：2
- Максимальный ток подачи：240 mA, 300 mA
- Время доступа：5 ns
- Архитектура：Flow-Through/Pipelined
- Организация：1 M x 18
- Ширина адресной шины：20 Bit
- Тип продукта：SRAM
- Плотность：18 Mbit
- Уровень фильтрации：Industrial
- Категория продукта：SRAM
Со склада 16
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
