(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK7535-55A,127
Изображение служит лишь для справки
BUK7535-55A,127
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
Date Sheet
Lagernummer 11908
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：NXP USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：85W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：PLASTIC, SC-46, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：SOT78A
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BUK7535-55A,127
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.18
- Код упаковки компонента：TO-220
- Максимальный ток утечки (ID)：35 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：TrenchMOS™
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：ESD PROTECTED
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：NXP Semiconductor
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：35mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：872 pF @ 25 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：35 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.035 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：139 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：49 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：85 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 11908
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
