(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UF28100V
Изображение служит лишь для справки
UF28100V
-
MA-COM
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 744A-01
- RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-8
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：744A-01
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：65 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：6 V
- Распад мощности：250 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：10
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：1.5 S
- Производитель：MACOM
- Бренд：MACOM
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：12 A
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：UF28100V
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC
- Ранг риска：5.2
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Пакетирование：Tray
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Тип：RF Power MOSFET
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-CDFM-F8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Частота работы：100 MHz to 500 MHz
- Конфигурация：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Выводная мощность：100 W
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип продукта：RF MOSFET Transistors
- Увеличение：10 dB
- Максимальный сливовой ток (ID)：12 A
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：250 W
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Категория продукта：RF MOSFET Transistors
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
