(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N3819-E3
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：2N3819-E3
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Vishay Intertechnologies
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.04
- Код упаковки компонента：TO-92
- Код JESD-609：e3
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：O-PBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-226AA
- Минимальная напряжённость разрушения：8 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.36 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：4 pF
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
