(0)
Изображение служит лишь для справки
IGC89T170S8RMX1SA1
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 10.09 X 8.85 MM, DIE-5
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
- Форма упаковки：UNCASED CHIP
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IGC89T170S8RMX1SA1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.68
- Код упаковки компонента：DIE
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：5
- Код JESD-30：R-XUUC-N5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：75 A
- Прямоходящий ток коллектора：75
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1700 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
