JANTXV2N7336

Name: Infineon JANTXV2N7336
Brand: Infineon
Rating: 4.7 (11 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, MO-036AB, 14 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：14
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальный ток утечки (ID)：1 A
Ранг риска：5.19
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Код цикла жизни компонента：Active
Количество элементов：4
Производитель：Infineon Technologies AG
Форма упаковки：RECTANGULAR
Артикул Производителя：JANTXV2N7336
Рохс Код：No
Температура работы-Макс：150 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Форма упаковки：IN-LINE
Описание пакета：MO-036AB, 14 PIN
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：MIL-19500/598
Код JESD-30：R-CDIP-T14
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Код JEDEC-95：MO-036AB
Максимальный сливовой ток (ID)：0.75 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.8 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：4 A
Минимальная напряжённость разрушения：100 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：75 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.4 W

Со склада 0

Итого $0.00000