(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDB8444TS
Изображение служит лишь для справки
FDB8444TS
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
- Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, ROHS COMPLIANT, TO-263, 5 PIN
Date Sheet
Lagernummer 797
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：TO-263-5
- Состояние продукта：Obsolete
- Максимальная мощность рассеяния：181W (Tc)
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Ta), 70A (Tc)
- Пакет：Bulk
- Серия：PowerTrench®
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5mOhm @ 70A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8410 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：338 nC @ 20 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 797
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
