(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANTXVR2N7489T3
Изображение служит лишь для справки
JANTXVR2N7489T3
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Артикул Производителя：JANTXVR2N7489T3
- Форма упаковки：SQUARE
- Производитель：Defense Logistics Agency
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：DEFENSE LOGISTICS AGENCY
- Ранг риска：5.39
- Код упаковки компонента：TO-257AA
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：RADIATION HARDENED
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：PIN/PEG
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Нормативная Марка：MIL-19500/705
- Код JESD-30：S-XSFM-P3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-257AA
- Максимальный импульсный ток вывода：48 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：60 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
