(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSL207NL6327
Изображение служит лишь для справки
BSL207NL6327
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSOP-6
Date Sheet
Lagernummer 20290
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：PG-TSOP6-6
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.1A
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSL207NL6327
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.68
- Код упаковки компонента：TSOP
- Максимальный ток утечки (ID)：2.1 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：500mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70mOhm @ 2.1A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 11µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：419pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.1nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.1 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.07 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.5 W
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：24 pF
Со склада 20290
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
