NE3510M04-T2-A

Name: Renesas Electronics America NE3510M04-T2-A
Brand: Renesas Electronics America
Rating: 4.5 (8 reviews)

Renesas Electronics America
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-343F
NE3510M04-T2-A
Date Sheet

Lagernummer 251012

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：SOT-343F
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：M04
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
Пакет：Bulk
Mfr：Renesas Electronics America Inc
Состояние продукта：Obsolete
Номинальное напряжение：4 V
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：NE3510M04-T2-A
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Renesas Electronics Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
Ранг риска：5.27
Максимальный ток утечки (ID)：0.03 A
Серия：-
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Other Transistors
Максимальная токовая нагрузка (Амперы)：97mA
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Частота：4GHz
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDSO-F4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Название бренда：Renesas
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DEPLETION MODE
Сокетная связка：DRAIN
Ток - испытание：15 mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：HFET
Увеличение：16dB
Минимальная напряжённость разрушения：3 V
Выводная мощность：-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.125 W
Фактор шума：0.45dB
Напряжение - испытание：2 V
Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
Уголок мощности-минимум (Гп)：14.5 dB

Со склада 251012

Итого $0.00000