Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT1001R3AN
Изображение служит лишь для справки
APT1001R3AN
-
Microsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 8.5A, 1000V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：APT1001R3AN
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Risk Rank：5.61
- Drain Current-Max (ID)：8.5 A
- JESD-609 Code：e0
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：O-MBFM-P2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-3
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8.5 A
- Drain-source On Resistance-Max：1.3 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：1000 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：230 W
- Power Dissipation Ambient-Max：230 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты