(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE182
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-225AB, TO-127-3
- Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-127, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-225AB, TO-127-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-127
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：NTE182
- Производитель：NTE Electronics
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：10 A
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Траниционный частотный предел (fT)：2 MHz
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：1.75
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：90 W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 4A, 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：700µA
- Код JEDEC-95：TO-127
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：8V @ 3.3A, 10A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60 V
- Частота - Переход：2MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：90 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：10 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：5
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：90 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
