Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK1647L-E
Изображение служит лишь для справки
2SK1647L-E
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Nch Single Power MOSFET 900V 2A 7000mohm LDPAK(L)/TO-262
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Package Style：IN-LINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：PRSS0004AE-A4
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：2SK1647L-E
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Not Recommended
- Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.22
- Part Package Code：LDPAK(L)
- Drain Current-Max (ID)：2 A
- JESD-609 Code：e6
- Terminal Finish：TIN BISMUTH
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Brand Name：Renesas
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：2 A
- Drain-source On Resistance-Max：7 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：6 A
- DS Breakdown Voltage-Min：900 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：50 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты