Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF5EA1310
Изображение служит лишь для справки
IRF5EA1310
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.036ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-28
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：28
- Transistor Element Material：SILICON
- Drain Current-Max (ID)：23 A
- Risk Rank：5.21
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Number of Elements：4
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Package Shape：SQUARE
- Manufacturer Part Number：IRF5EA1310
- Rohs Code：Yes
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Package Style：CHIP CARRIER
- Package Description：HERMETIC SEALED, LCC-28
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Terminal Position：QUAD
- Terminal Form：NO LEAD
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：S-CQCC-N28
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain-source On Resistance-Max：0.036 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：92 A
- DS Breakdown Voltage-Min：100 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：73 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты