Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CEDM7002AETR
Изображение служит лишь для справки
CEDM7002AETR
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-101, SOT-883
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-101, SOT-883
- Surface Mount：YES
- Supplier Device Package：SOT-883L
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：100mW (Ta)
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Manufacturer Part Number：CEDM7002AETR
- Manufacturer：Central Semiconductor Corp
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Risk Rank：5.75
- Operating Temperature：-65°C ~ 150°C (TJ)
- Series：--
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Part Status：Active
- ECCN Code：EAR99
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- Reach Compliance Code：compliant
- Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4 Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：50pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：0.5nC @ 4.5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：20V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.3 A
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：0.1 W
- FET Feature：--
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты