Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPW50R140CPXK
Изображение служит лишь для справки
IPW50R140CPXK
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 623
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Continuous Drain Current Id：23
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：IPW50R140CPXK
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.76
- Drain Current-Max (ID)：23 A
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-247AC
- Drain-source On Resistance-Max：0.14 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：56 A
- DS Breakdown Voltage-Min：500 V
- Channel Type：N
- Avalanche Energy Rating (Eas)：616 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 623
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты