Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDS6672A
Изображение служит лишь для справки
FDS6672A
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
Date Sheet
Lagernummer 502
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Supplier Device Package：8-SOIC
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：2.5W (Ta)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：PowerTrench®
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5070 pF @ 15 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：46 nC @ 4.5 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30 V
- Vgs (Max)：±12V
- FET Feature：-
Со склада 502
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты