(0)
Изображение служит лишь для справки
BFP182E7765
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：8000 MHz
- Артикул Производителя：BFP182E7765
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.84
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.035 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：12 V
- Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：0.4 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
