Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HUF75631P3
Изображение служит лишь для справки
HUF75631P3
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
Date Sheet
Lagernummer 7200
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220-3
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：120W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Series：UltraFET™
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：40mOhm @ 33A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1220 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：79 nC @ 20 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 7200
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты