(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS87L6327
Изображение служит лишь для справки
BSS87L6327
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 240
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSS87L6327
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.59
- Максимальный ток утечки (ID)：0.26 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.26 A
- Сопротивление открытого канала-макс：6 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：240 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7.3 pF
Со склада 240
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
