Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SJ377
Изображение служит лишь для справки
2SJ377
-
Toshiba
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：2SJ377
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Toshiba America Electronic Components
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：End Of Life
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：6.48
- Part Package Code：SC-64
- Drain Current-Max (ID)：5 A
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.28 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20 A
- DS Breakdown Voltage-Min：60 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：273 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：20 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты