(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPI80N04S3-03
Изображение служит лишь для справки
IPI80N04S3-03
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 2000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO262-3-1
- Прямоходящий ток вывода Id：80
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：188W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：*
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Распад мощности：188
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.5mOhm @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 120µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7300 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：110 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
