(0)
Изображение служит лишь для справки
RN2132MFV(TPL3)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Digital Transistors -50volts 100mA 3Pin 200Kohmsx0ohms
Date Sheet
Lagernummer 11
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：- 5 V
- Распад мощности：150 mW
- Полярность транзистора：PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：120
- Типовой входной резистор：200 kOhms
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：8000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：400
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：- 50 V
- Серия：RN2132
- Пакетирование：MouseReel
- Тип：PNP Epitaxial Silicon Transistor
- Подкатегория：Transistors
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Диапазон рабочей температуры：- 65 C to + 150 C
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：- 50 V
- Прямоходящий ток коллектора：- 100 mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Ширина：0.5 mm
- Высота：1.2 mm
- Длина：1.2 mm
Со склада 11
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
