(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные H7N1004FM-E
Изображение служит лишь для справки
H7N1004FM-E
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Nch Single Power MOSFET 100V 25A 35mohm TO-220FM
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：PRSS0003AD-A3
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：H7N1004FM-E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.23
- Код упаковки компонента：TO-220FM
- Максимальный ток утечки (ID)：25 A
- Код JESD-609：e2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN COPPER
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：25 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.045 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：100 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：25 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
