Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF9510STRRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF9510STRRPBF
-
Vishay
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：IRF9510STRRPBF
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Vishay Intertechnologies
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Risk Rank：5.03
- Part Package Code：D2PAK
- Drain Current-Max (ID)：4 A
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-263AB
- Drain-source On Resistance-Max：1.2 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：16 A
- DS Breakdown Voltage-Min：100 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты