(0)
Изображение служит лишь для справки
RN1113MFV(TPL3)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- VESM-3
- Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
Date Sheet
Lagernummer 30
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：VESM-3
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：150 mW
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：700
- Пакетная партия производителя：8000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：120 @ 1mA @ 5V
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Серия：RN1113MFV
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：Transistors
- Конфигурация：Single
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Ширина：0.8 mm
- Высота：0.5 mm
- Длина：1.2 mm
Со склада 30
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
