(0)
Изображение служит лишь для справки
IKD03N60RFBTMA1
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, GREEN, PLASTIC, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：GREEN, PLASTIC, DPAK-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：18 ns
- Время отключения (toff)：265 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IKD03N60RFBTMA1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.67
- Код упаковки компонента：TO-252
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252
- Максимальная потеря мощности (абс.)：53.6 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5.7 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
