Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7702PBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7702PBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, LEAD FREE, TSSOP-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：LEAD FREE, TSSOP-8
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：2
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：IRF7702PBF
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：International Rectifier
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Risk Rank：8.51
- Part Package Code：TSSOP
- Drain Current-Max (ID)：8 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：8
- JESD-30 Code：R-PDSO-G8
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：MO-153AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.014 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：70 A
- DS Breakdown Voltage-Min：12 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：1.5 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты