BCR129SE6327

Name: Infineon BCR129SE6327
Brand: Infineon
Rating: 5 (17 reviews)

Infineon
Дискретные полупроводниковые
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SOT-363, 6 PIN
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：PG-SOT23-3-11
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：150 MHz
Артикул Производителя：BCR129SE6327
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.81
Серия：-
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-G6
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Мощность - Макс：250mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 5mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500µA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
Частота - Переход：150MHz
Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：120
База (R1)：10kOhms
Резистор - Эмиттер-База (R2)：-
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V

Со склада 3000

Итого $0.00000