Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF5Y31N20
Изображение служит лишь для справки
IRF5Y31N20
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：HERMETIC SEALED PACKAGE-3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：IRF5Y31N20
- Package Shape：SQUARE
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.21
- Drain Current-Max (ID)：18 A
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：S-MSFM-P3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-257AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：18 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.092 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：72 A
- DS Breakdown Voltage-Min：200 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：170 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：100 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты