(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD50N06S3L-13
Изображение служит лишь для справки
IPD50N06S3L-13
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：IPD50N06S3L-13
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.26
- Код упаковки компонента：TO-252
- Максимальный ток утечки (ID)：50 A
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0126 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：200 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：130 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
