(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK947-MR
Изображение служит лишь для справки
2SK947-MR
-
Fuji
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, SC-67, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：2SK947MR
- Время включения макс. (ton)：120 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Fuji Electric Co Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：COLLMER SEMICONDUCTOR INC
- Время отключения макс. (toff)：390 ns
- Ранг риска：8.35
- Код упаковки компонента：TO-220F15
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：12 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.3 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：48 A
- Минимальная напряжённость разрушения：250 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：40 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：40 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
