Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDN338P_NL
Изображение служит лишь для справки
FDN338P_NL
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3
Date Sheet
Lagernummer 1269660
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：SUPERSOT
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：FDN338P_NL
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Fairchild Semiconductor Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Risk Rank：5.3
- Part Package Code：SOT
- Drain Current-Max (ID)：1.6 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1.6 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.115 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：20 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：0.5 W
Со склада 1269660
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты