Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF5210STRR
Изображение служит лишь для справки
IRF5210STRR
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 515
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Supplier Device Package：D2PAK
- Lead Free Status / RoHS Status：Contains lead / RoHS non-compliant
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：3.8W (Ta), 200W (Tc)
- Operating Temperature：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Series：HEXFET®
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：60 mOhm @ 24A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：180nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 515
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты