Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N7002PV
Изображение служит лишь для справки
2N7002PV
-
Nexperia
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 63000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：2N7002PV
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Nexperia
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：Not Recommended
- Samacsys Description：60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
- Ihs Manufacturer：NEXPERIA
- Risk Rank：7.21
- Drain Current-Max (ID)：0.35 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Reference Standard：AEC-Q101; IEC-60134
- JESD-30 Code：R-PDSO-F6
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain-source On Resistance-Max：1.6 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：60 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 63000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты