Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N6788
Изображение служит лишь для справки
2N6788
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
Date Sheet
Lagernummer 51
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：2N6788
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：SEMELAB LTD
- Risk Rank：5.06
- Part Package Code：BCY
- Drain Current-Max (ID)：6 A
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：2
- JESD-30 Code：O-MBCY-W3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-205AF
- Drain-source On Resistance-Max：0.345 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：24 A
- DS Breakdown Voltage-Min：100 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 51
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты