Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

2SC4116-BL(TE85L,F

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:SOT-323-3
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Распад мощности:100 mW
  • Полярность транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:70
  • Вес единицы:0.000176 oz
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:80 MHz
  • Производитель:Toshiba
  • Бренд:Toshiba
  • Максимальный постоянный ток сбора:150 mA
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:700
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Температура работы-Макс:125 °C
  • Траниционный частотный предел (fT):80 MHz
  • Артикул Производителя:2SC4116-BL(TE85L,F)
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:TOSHIBA CORP
  • Ранг риска:5.63
  • Серия:2SC4116
  • Пакетирование:Reel
  • Дополнительная Характеристика:LOW NOISE
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PDSO-G3
  • Конфигурация:Single
  • Применение транзистора:AMPLIFIER
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.1 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.15 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):350
  • Прямоходящий ток коллектора:150 mA
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
  • Максимальное напряжение на выходе:0.25 V
  • Сопротивление базы-эмиттора макс:3.5 pF
  • Максимальная мощность dissipation окружающей среды:0.1 W
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 0

Итого $0.00000