Изображение служит лишь для справки
2SC4116-BL(TE85L,F
- Toshiba
- Дискретные полупроводниковые
- SOT-323-3
- Small Signal Bipolar Transistor
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SOT-323-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Распад мощности:100 mW
- Полярность транзистора:NPN
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:70
- Вес единицы:0.000176 oz
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:80 MHz
- Производитель:Toshiba
- Бренд:Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора:150 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:700
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс:125 °C
- Траниционный частотный предел (fT):80 MHz
- Артикул Производителя:2SC4116-BL(TE85L,F)
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:5.63
- Серия:2SC4116
- Пакетирование:Reel
- Дополнительная Характеристика:LOW NOISE
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:Single
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.1 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.15 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):350
- Прямоходящий ток коллектора:150 mA
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
- Максимальное напряжение на выходе:0.25 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс:3.5 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:0.1 W
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 0
Итого $0.00000