Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N6794
Изображение служит лишь для справки
2N6794
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：2N6794
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.06
- Drain Current-Max (ID)：1.5 A
- JESD-609 Code：e0
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Reference Standard：MILITARY STANDARD (USA)
- JESD-30 Code：O-MBCY-W3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-205AF
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1.5 A
- Drain-source On Resistance-Max：3 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：6.5 A
- DS Breakdown Voltage-Min：500 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：0.11 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：20 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты