Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RJK0355DPA-01#J0B
Изображение служит лишь для справки
RJK0355DPA-01#J0B
- Renesas Electronics America
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- RJK0355DPA-01#J0B
- Date Sheet
Lagernummer 2759
- 1+: $0.83871
- 10+: $0.79124
- 100+: $0.74645
- 500+: $0.70420
- 1000+: $0.66434
Zwischensummenbetrag $0.83871
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type:Surface Mount
- Package / Case:8-PowerWDFN
- Supplier Device Package:8-WPAK
- Package:Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:30A (Ta)
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Power Dissipation (Max):25W (Tc)
- Product Status:Obsolete
- Operating Temperature:150°C (TJ)
- Series:-
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type:N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.7mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id:-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:860 pF @ 10 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.3 nC @ 4.5 V
- Drain to Source Voltage (Vdss):30 V
- FET Feature:-
Со склада 2759
- 1+: $0.83871
- 10+: $0.79124
- 100+: $0.74645
- 500+: $0.70420
- 1000+: $0.66434
Итого $0.83871