Изображение служит лишь для справки






BCR129WE6327
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-323, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):150 MHz
- Артикул Производителя:BCR129WE6327
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.83
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):120
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
Со склада 0
Итого $0.00000