Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB16CNE8NG
Изображение служит лишь для справки
IPB16CNE8NG
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 85V, 0.0162ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.75
- Part Package Code：D2PAK
- Drain Current-Max (ID)：53 A
- Manufacturer Part Number：IPB16CNE8NG
- Rohs Code：Yes
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-263AB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：53 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0162 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：212 A
- DS Breakdown Voltage-Min：85 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：107 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：100 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты