Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

IPB16CNE8NG

Lagernummer 14000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Infineon Technologies AG
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Ранг риска:5.75
  • Код упаковки компонента:D2PAK
  • Максимальный ток утечки (ID):53 A
  • Артикул Производителя:IPB16CNE8NG
  • Рохс Код:Yes
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:4
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-263AB
  • Максимальный сливовой ток (ID):53 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0162 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:212 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:85 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):107 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):100 W

Со склада 14000

Итого $0.00000