(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSO207PHXT
Изображение служит лишь для справки
BSO207PHXT
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSO207PHXT
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：5 A
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.045 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：22.8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：44 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
