Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSL215CL6327
Изображение служит лишь для справки
BSL215CL6327
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSOP-6
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BSL215CL6327
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.39
- Part Package Code：TSOP
- Drain Current-Max (ID)：1.5 A
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Additional Feature：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- HTS Code：8541.21.00.95
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：6
- JESD-30 Code：R-PDSO-G6
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1.5 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.14 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：20 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：0.5 W
- Feedback Cap-Max (Crss)：9 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты