(0)
Изображение служит лишь для справки
2SD2162-AZ
-
Renesas Electronics America
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：30 MHz
- Артикул Производителя：2SD2162-AZ
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.27
- Код упаковки компонента：SFM
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток коллектора (IC)：8 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：500
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：100 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
