Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF540NSTRL
Изображение служит лишь для справки
IRF540NSTRL
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 61816
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：PLASTIC, D2PAK-3
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：IRF540NSTRL
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：International Rectifier
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Risk Rank：7.58
- Part Package Code：D2PAK
- Drain Current-Max (ID)：33 A
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Additional Feature：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Subcategory：FET General Purpose Powers
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：225
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-263AB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：33 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.044 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：110 A
- DS Breakdown Voltage-Min：100 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：185 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：130 W
Со склада 61816
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты