(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS84AKW
Изображение служит лишь для справки
BSS84AKW
-
Nexperia
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor
Date Sheet
Lagernummer 6686
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Mfr：Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSS84AKW
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Nexperia
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Описание Samacsys：50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Ранг риска：0.99
- Максимальный ток утечки (ID)：0.15 A
- Серия：*
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：8.5 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：50 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 6686
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
