(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP70N04S3-07
Изображение служит лишь для справки
IPP70N04S3-07
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO220-3-1
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：79W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IPP70N04S3-07
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.32
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：70 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™T
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW RESISTANCE
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.5mOhm @ 70A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 50µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2700 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0071 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：280 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：145 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
