Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HUFA76419P3
Изображение служит лишь для справки
HUFA76419P3
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
Date Sheet
Lagernummer 400
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220-3
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：29A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：75W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Series：UltraFET™
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：35mOhm @ 29A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：900 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：28 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60 V
- Vgs (Max)：±16V
- FET Feature：-
Со склада 400
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты